在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)基地于2016年開(kāi)始建設(shè)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，我國(guó)存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用場(chǎng)景不斷擴(kuò)大。目前，我國(guó)存儲(chǔ)芯片在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用正處于發(fā)展的初級(jí)階段，能夠成熟相關(guān)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品應(yīng)用的企業(yè)數(shù)量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場(chǎng)被韓國(guó)、日本、美國(guó)企業(yè)所占據(jù)。
1、中國(guó)存儲(chǔ)芯行業(yè)起步較晚，技術(shù)基礎(chǔ)薄弱
中國(guó)的存儲(chǔ)芯片發(fā)展較晚。2016年之前，行業(yè)幾乎沒(méi)有產(chǎn)能，存儲(chǔ)芯片極度依賴(lài)進(jìn)口。面對(duì)外資企業(yè)在存儲(chǔ)芯片行業(yè)的壟斷優(yōu)勢(shì)，中國(guó)近年來(lái)開(kāi)始大舉投資存儲(chǔ)芯片行業(yè)。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，逐漸取得了一些成績(jī)。
目前，中國(guó)大陸地區(qū)企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域的市場(chǎng)份額仍然較低，通過(guò)國(guó)家政府層面的大規(guī)模投資，有機(jī)會(huì)快速切入相關(guān)領(lǐng)域，是芯片國(guó)產(chǎn)化的可靠而重要的一步。
存儲(chǔ)芯片行業(yè)是一個(gè)技術(shù)密集型行業(yè)。中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，缺乏積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。雖然我國(guó)本土的企業(yè)已經(jīng)逐步完善了NAND和DRAM行業(yè)的布局，但每一款存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品還處于生產(chǎn)初期，尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。與國(guó)外存儲(chǔ)芯片廠商相比，我國(guó)存儲(chǔ)芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，是制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。
以3DNAND存儲(chǔ)器為例，三星、海力士通過(guò)不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新，改進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，增加單元存儲(chǔ)容量，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)了176層3DNAND。國(guó)內(nèi)于2020年推出128層QLC 3D NAND閃存?？梢钥闯觯c國(guó)外領(lǐng)先的3D NAND企業(yè)相比，我國(guó)的存儲(chǔ)技術(shù)與國(guó)外企業(yè)還有一定差距，我國(guó)的3D? NAND技術(shù)基礎(chǔ)相對(duì)薄弱。
2、中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)波動(dòng)上升，NAND Flash和DRAM為主要產(chǎn)品
在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機(jī)的功能逐漸多樣化，覆蓋了許多應(yīng)用領(lǐng)域，促使市場(chǎng)不斷提高智能手機(jī)的存儲(chǔ)空間要求，以滿足消費(fèi)者使用移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的體驗(yàn)。2016年后，中國(guó)智能手機(jī)等消費(fèi)電子應(yīng)用市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，推動(dòng)了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求的快速釋放。
2014年至2019年，中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模從1274億元增長(zhǎng)到2697億元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為16.18%。預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)3000億元。
目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)以NAND Flash和DRAM為主。2019年，中國(guó)NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售額占總市場(chǎng)規(guī)模比重約為42%，占全球NAND Flash市場(chǎng)銷(xiāo)售額37%;2019年中國(guó)DRAM產(chǎn)品銷(xiāo)售額占總市場(chǎng)規(guī)模比重約為55%，占全球DRAM市場(chǎng)34%。
3、中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由國(guó)外企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕
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存儲(chǔ)芯片是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光，合計(jì)占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)95%左右的份額，NAND Flash經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場(chǎng)格局。
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從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，市場(chǎng)主要由國(guó)外存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國(guó)外，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國(guó)外原廠的差距。